Infineon JANTX2N6796
$ 15.255
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3-Monats-Trend: Restocked
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Price @ 1000
$ 15.255
$ 18
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Stock
16,236
20,391
20,391
Authorized Distributors
2
3
3
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-39
TO-39
TO-39
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
8 A
8 A
8 A
Threshold Voltage
-
4 V
4 V
Rds On Max
-
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
25 W
25 W
25 W
Input Capacitance
-
-
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-01-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonJANTX2N6849
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon JANTX2N6796, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Single N-Channel 100 V 25W 28.5 nC Hexfet Transistor Through Hole - TO-39
100 V, 200 V, 400 V AND 500 V, N-CHANNEL, ENHANCEMENT MODE MOSFET POWER TRANSISTOR 3TO-205
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-39
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance195 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance200 mΩ
PackagingBulk
Power Dissipation25 W
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen