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Infineon IRS2183STRPBF

600 V half-bridge gate driver IC with shoot through protection, SOIC 8N, RoHS
$ 1.03
Production
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SHENGYU ELECTRONICS

Datasheet24 SeitenVor 20 Jahren

IHS

iiiC

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 1.03
$ 1.35
Stock
908,658
252,969
Authorized Distributors
6
3
Case/Package
SOP
SOP
Number of Pins
8
8
Channel Type
Independent
Independent
Number of Drivers
2
2
Max Output Current
1.9 A
1.9 A
Rise Time
40 ns
40 ns
Fall Time
20 ns
20 ns
Min Supply Voltage
10 V
10 V
Max Supply Voltage
20 V
20 V
Max Power Dissipation
625 mW
625 mW

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.39.00.60
Introduction Date2006-04-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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High Voltage, High Speed Power Mosfet And Igbt Driver With Independent High Side, SOIC 8N, RoHS
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MicrochipMIC4123YME
DRIVER, MOSFET, DUAL, 3A, 8SOIC; Device Type:Low Side; Module Configuration:Inve

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRS2183STRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

600 V half-bridge gate driver IC with shoot through protection, SOIC 8N, RoHS
Tape & Reel (TR) IRS2183SPBF Half-Bridge 1996 gate driver 60ns -40C~150C TJ 1.9A 2.3A 625mW
IRS2183 Series 1.9 A 20 V Supply Dual Output Half Bridge Driver - SOIC-8
Power MOSFET and IGBT Driver, 1/2 Bridge, 600V, 8-pin SOIC, T/R
Gate Drivers The factory is currently not accepting orders for this product
Half Bridge Driver, SoftTurn-On, Low Side Inverting Input, Separate High and Low Side Input, 400ns Deadtime in a 8-Lead package
MOSFET/IGBT DRIVER, HALF BRIDGE, SOIC-8; Driver Configuration: Half Bridge; Peak Output Current: -; Supply Voltage Min: 10V; Supply Voltage Max: 20V; Driver Case Style: SOIC; No. of Pins: 8Pins; Input Delay: 180ns; Output Delay: 220ns; Operating Temperature Min: -40°C; Operating Temperature Max: 125°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; RoHS Phthalates Compliant: Yes; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
IGBT Gate Driver IC; Device Type:High-Side; No. of Outputs:2; Output Voltage:620V; Output Current:2.3A; Source Output Current Max:1400mA; Sink Output Current:1800mA; Power Dissipation, Pd:0.625W; Supply Voltage Min:10V ;RoHS Compliant: Yes
EiceDRIVER™ 600 V half-bridge gate driver IC with typical 1.9 A source and 2.3 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP, 14 Lead SOIC, and 14 Lead PDIP.For the new version with our SOI technology we recommend 2ED2183S06F, providing integrated bootstrap diode, better robustness and higher switching frequency

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRS2183STRPBF
  • IRS2183STRPBF.
  • SP001548630