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Infineon IRS2101STRPBF

600 V high-side and low-side gate driver IC, SOIC 8N, RoHS
$ 0.561
Production
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Newark
2
IRS2101STRPBF
1.645
1
Cut Tape
USD
1,000
1,000
0,576
0,507
0,487
Future Electronics
IRS2101STRPBF
2.500
2500
Tape & Reel
USD
0,470
Rochester Electronics
IRS2101STRPBF
714
USD
0,676
0,561
0,500
15h
Arrow Electronics
3
IRS2101STRPBF
2.488
1
USD
1,025
0,766
0,622
0,528
0,528
DigiKey
3
IRS2101STRPBFCT-ND
11.354
1
Cut Tape
USD
1,200
0,866
0,692
0,609
0,609

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRS2101STRPBF herunter.

IHS

Datasheet15 SeitenVor 20 Jahren

element14 APAC

iiiC

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRS2101STRPBF
InfineonIRS2101SPBF
Price @ 1000
$ 0.561
$ 0.963
Stock
645,252
350,101
Authorized Distributors
6
5
Case/Package
SOP
SOP
Number of Pins
8
8
Channel Type
Independent
Independent
Number of Drivers
2
2
Max Output Current
600 mA
600 mA
Rise Time
70 ns
70 ns
Fall Time
35 ns
35 ns
Min Supply Voltage
10 V
10 V
Max Supply Voltage
20 V
20 V
Max Power Dissipation
625 mW
625 mW

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRS2101STRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

600 V high-side and low-side gate driver IC, SOIC 8N, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET and IGBT Driver, High Voltage, High Speed, 600V, 8-pin PDIP, T/R
Avnet Japan
IRS2101 Series 600 V 290 mA 20 V Supply Dual High And Low Side Driver - SOIC-8
Future Electronics
Gate Drivers; INFINEON; IRS2101STRPBF; 1; 10 V - 20 V; 8; Surface Mount
Maritex
EiceDRIVER™ 600 V high and low side gate driver IC with typical 0.29 A source and 0.6 A sink currents in 8 Lead SOIC package IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP.
Infineon
MOSFET/IGBT DRIVER, HIGH/LOW SIDE, SOIC; Driver Configuration: High Side and Low Side; Peak Output Current: 270mA; Supply Voltage Min: 10V; Supply Voltage Max: 20V; Driver Case Style: SOIC; No. of Pins: 8Pins; Input Delay: 160ns; Output Delay: 150ns; Operating Temperature Min: -40°C; Operating Temperature Max: 125°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; RoHS Phthalates Compliant: Yes; MSL: MSL 2 - 1 year; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell
IGBT Gate Driver IC; Device Type:High and Low Side; No. of Outputs:2; Output Voltage:620V; Output Current:600mA; Source Output Current Max:100mA; Sink Output Current:210mA; Power Dissipation, Pd:0.625W; Supply Voltage Min:10V ;RoHS Compliant: Yes
Newark

Bilder

Infineon
Farnell
Augswan
International Rectifier
Rochester Electronics
iiiC
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRS2101STRPBF
  • IRS2101STRPBF.
  • SP001548538