Infineon IRLZ44NLPBF
$ 1.51
Obsolete
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Verwandte Teile
InfineonAUIRFZ46NL
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package, TO262-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLZ44NLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, 55V, 47A, 22 MOHM, 32 NC QG, LOGIC LEVEL, TO-262
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package
Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 55V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:47A; On Resistance, Rds(on):22mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-262 ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)47 A
Current Rating47 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max22 mΩ
Rise Time84 ns
Voltage Rating (DC)55 V