Infineon IRLS3034TRLPBF
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Stock
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141,118
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
195 A
195 A
Threshold Voltage
-
2.5 V
Rds On Max
1.7 mΩ
1.7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
195 W
375 W
Input Capacitance
10.315 nF
10.315 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-14
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
Verwandte Teile
InfineonIRFS3004TRLPBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
InfineonAUIRF2804S
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTB270N4F3
Automotive-grade N-channel 40 V, 1.6 mOhm typ., 160 A STripFET F3 PowerMOSFET in D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLS3034TRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 195 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 40V, 343A, D2PAK ; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:343A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):1.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V ;RoHS Compliant: Yes
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: Optimized for Logic Level Drive; Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Superior R*Q at 4.5V VGS; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability; Lead-Free | Target Applications: Battery Operated Drive
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time355 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.315 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.7 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation195 W
Rds On Max1.7 mΩ
Rise Time827 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time97 ns
Turn-On Delay Time65 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen