Infineon IRLS3034PBF

Single N-Channel 40 V 1.7 mOhm 108 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
$ 6.52
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRLS3034PBF02Bulk
22h
FarnellIRLS3034PBF01
9h
Win SourceWS-IRLS3034PBF18410
10h
Worldway ElectronicsIRLS3034PBF16.3237Tube
9h
GreenTree ElectronicsIRLS3034PBF450
1h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 16 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 16 Jahren

iiiC

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRLS3034PBF
InfineonIRLS3034TRLPBF
Price @ 1000
$ 6.52
$ 1.354
Stock
147,731
183,711
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
195 A
195 A
Threshold Voltage
2.5 V
-
Rds On Max
1.7 mΩ
1.7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
375 W
195 W
Input Capacitance
10.315 nF
10.315 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRLS3034PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 40 V 1.7 mOhm 108 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Verical
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET, N-CH 40V 195A D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):1.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:375W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:343A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:375W; Power Dissipation Pd:375W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:2.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V
element14 APAC
Benefits: Optimized for Logic Level Drive; Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Superior R*Q at 4.5V VGS; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability; Lead-Free | Target Applications: Battery Operated Drive
Infineon

Bilder

Infineon
Augswan
Distrelec
Farnell
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
Distrelec
element14
Conrad
Rochester Electronics
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRLS3034PBF
  • IRLS3034PBF.
  • SP001559018