Infineon IRLML6246TRPBF
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Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IRLML6246TRPBF | 1.302 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IRLML6246TRPBF | 576.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | IRLML6246TRPBF | 8.532 | 1 | |||||||||
| DigiKey | IRLML6246TRPBFCT-ND | 108.670 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRLML6246TRPBF | 0 | 20 | Bulk | 12h |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2021-04-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIRLML2502TRPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 4.3A; 0.05ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
InfineonIRLML2502GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 20V, 4.2A, MICRO3; Transistor Polarity:N Channel; Con
Diodes Inc.DMP2066LSN-7
Mosfet, P-Ch, 20V, 4.6A, Sc-59 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP2066LSN-7
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLML6246TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, 20V, 4.1A, 46 MOHM, 3.5 NC QG, 2.5V DRIVE CAPABLE, SOT-23
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Surface Mount
20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 20 V 66 mOhm 3.5 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-23
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: N Power dissipation: 1.3 W
HEXFET Power MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor
20V 4.1A 1.3W 46m´Î@4.5V4.1A 1.1V@5Ã×A N Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs ROHS
MOSFET,N CH,DIODE,20V,4.1A,SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:4.1A; Power Dissipation Pd:1.3W; Voltage Vgs Max:12V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance46 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance290 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Manufacturer Package IdentifierMicro3
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance46 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max46 mΩ
Recovery Time13 ns
Resistance46 MΩ
Rise Time4.9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage12 V
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time3.6 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.0226 mm
Width1.397 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen