Infineon IRLML5103TRPBF

INFINEON IRLML5103PBF MOSFET Transistor, P Channel, 610 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
$ 0.123
Production
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DistributorSKUMinPkg
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IRLML5103TRPBF234.0003K
2d
Newark
2
IRLML5103TRPBF4.4521Cut Tape
Future Electronics
2
IRLML5103TRPBF741.0003KTape & Reel
Arrow Electronics
3
IRLML5103TRPBF26.7261
Rochester ElectronicsIRLML5103TRPBF1.130.266
1h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet10 SeitenVor 12 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 23 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 14 Jahren
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Alternative Teile

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Alternative Teile
InfineonIRLML5103TRPBF
InfineonIRLML5103GTRPBF
Price @ 1000
$ 0.123
$ 0.186
Stock
18,458,991
131,057
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
-30 V
Continuous Drain Current (ID)
540 mA
760 mA
Threshold Voltage
-1 V
-
Rds On Max
600 mΩ
600 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
340 mW
540 mW
Input Capacitance
75 pF
75 pF

Lieferkette

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1995-07-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

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30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 0,07ohm;1.4W; -55+150 st.C; SMD; SOT23
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRLML5103TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

INFINEON IRLML5103PBF MOSFET Transistor, P Channel, 610 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
Fly-Wing Technology
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.6Ohm;ID -0.76A;Micro3;PD 540mW;VGS +/-20V
RS (Formerly Allied Electronics)
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Infineon SCT
Single P-Channel 30 V 1 Ohm 5.1 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-23
Future Electronics
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: P Power dissipation: 540 mW
Distrelec
HEXFET POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.76A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
ComSIT Distribution GmbH
P Channel Mosfet, -30V, 760Ma, Sot-23; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:760Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRLML5103TRPBF.
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Bilder

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TME
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Conrad
element14
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Component Sense
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DKO Electronshik
Jameco
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LZChips
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Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRLML5103TRPBF
  • IRLML5103
  • IRLML5103PBF
  • IRLML5103TRPBF.
  • SP001572946