Infineon IRL6372TRPBF
$ 0.304
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | IRL6372TRPBF | 4.000 | 4K | |||||||||
| Rochester Electronics | IRL6372TRPBF | 342 | 18h | |||||||||
| Avnet | IRL6372TRPBF | 0 | 4K | 20h | ||||||||
| Farnell | IRL6372TRPBF | 0 | 5 | Cut Tape | 18h | |||||||
| HQonline | DS0102632 | 24 | 1 | >1w |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -32.98%
CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2025-09-30
LTD Date2026-03-31
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRL6372TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
30V Dual N-Channel Low Logic Level HEXFET Power MOSFET in a SO-8 Lead-Free package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Dual N-Channel 30 V 23 mOhm 11 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 30V, 0.0179ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
DUAL N CH HEXFET POWER MOSFET, 30V, 8.1A, SOIC-8; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Dual / Continuous Drain Current (Id) A = 8.1 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 17.9 / Gate-Source Voltage V = 12 / Fall Time ns = 15 / Rise Time ns = 13 / Turn-OFF Delay Time ns = 34 / Turn-ON Delay Time ns = 5.9 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -32.98%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance17.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.02 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.1 V
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance17.9 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max17.9 mΩ
Resistance17.9 MΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time5.9 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen