Infineon IRL3803VPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-07-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30
Verwandte Teile
InfineonIRL3803PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.006Ohm;ID 140A;TO-220AB;PD 200W;VGS +/-16V
VishaySUP50N03-5M1P-GE3
SUP50N03-5M1P-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 50 A, 30 V, 3-PIN TO-220AB
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRL3803VPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IRL3803VPBF N-channel MOSFET Transistor, 140 A, 30 V, 3-Pin TO-220
Single N-Channel 30 V 5.5 mOhm 76 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Avalanche Rated; Logic Level
Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:140A; On-Resistance, Rds(on):5.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-220AB; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating140 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance3.72 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance5.5 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation200 W
Rds On Max5.5 mΩ
Rise Time180 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height22.86 mm
Length10.6426 mm
Width4.82 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen