Infineon IRGIB15B60KD1P

Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pack
$ 12.43
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRGIB15B60KD1P02Bulk
18h
FarnellIRGIB15B60KD1P01
11h
Win SourceWS-IRGIB15B60KD1P5.11215
2h
Worldway Electronics
2
IRGIB15B60KD1P18.0067Tube
32m
Chipsmall LimitedIRGIB15B60KD1P210.0001
2h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRGIB15B60KD1P herunter.

IHS

Datasheet13 SeitenVor 22 Jahren
Datasheet13 SeitenVor 22 Jahren

Upverter

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

Newark

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-01-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-06-30
LTD Date2020-12-31

Verwandte Teile

onsemiSGS10N60RUFDTU
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 55000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube / IGBT 600V 16A 55W TO220F
Details
InfineonIRGIB10B60KD1P
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pack
Details
onsemiSGP10N60RUFDTU
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Details
onsemiFGPF7N60RUFDTU
IGBT 600V 14A 41W Through Hole TO-220F
Details
STMicroelectronicsSTGF35HF60W
Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Details
InfineonIRG4IBC30UDPBF
N-Channel 600 V 17 A Flange Mount Ultrafast CoPack IGBT - TO-220FP
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRGIB15B60KD1P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pack
Verical
600V Low-Vceon Copack IGBT in a TO-220 FullPak package
International Rectifier
Insulated Gate Bipolar Transistor, 19A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IHS
IGBT 19A 600V Ultrafast Diode TO-220FP
RS (Formerly Allied Electronics)
The 5th generation of ultrafast 600 V, 15 A IGBT in a TO-220 Full-Pak package co-packed with a low Vf diode has been optimized for lower conduction losses, FULLPAK220-3COPAK, RoHS
Infineon SCT
IGBT, TO-220FP; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:19A; Collector Emitter Voltage Vces:2.2V; Power Dissipation Pd:52W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Current Ic Continuous a Max:19A; Package / Case:TO-220FP; Power Dissipation Max:52W; Power Dissipation Pd:52W; Power Dissipation Pd:52W; Pulsed Current Icm:38A; Rise Time:35ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
element14 APAC

Bilder

Infineon
Augswan
Farnell
TME
RS
Farnell
RS (Formerly Allied Electronics)
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRGIB15B60KD1P
  • IRGIB15B60KD1
  • SP001537730