Infineon IRGB4056DPBF
$ 3.475
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-01-15
LTD Date2022-07-15
Verwandte Teile
InfineonIRG4BC30FD1PBF
600V Fast 1-5 kHz Hard Switching Copack IGBT in a TO-220AB package >20kHz resonant mode
onsemiISL9V3040P3
Trans IGBT Chip N=-CH 390V 21A 150000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRGB4056DPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
600 V, 12 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220AB package, TO220COPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRGB4056DPbF Series 600 V 12 A N-Channel Bipolar Transistor IGBT - TO-220AB
600V UltraFast Copack Trench IGBT in a TO-220AB package
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, COPAK, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:24A; Collector Emitter Voltage Vces:1.55V; Power Dissipation Pd:140W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:24A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:140W; Power Dissipation Pd:140W; Power Dissipation Pd:140W; Pulsed Current Icm:48A; Rise Time:17ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.55 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current24 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Max Collector Current24 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Package Quantity1000
Power Dissipation140 W
Reverse Recovery Time68 ns
Rise Time24 ns
Turn-Off Delay Time83 ns
Turn-On Delay Time31 ns
Dimensions
Height17.3 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen