Infineon IRGB14C40LPBF

IRGB14C40LPBF Series 430 V 14 A N-Channel Ignition IGBT - TO-220AB
$ 3.03
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIRGB14C40LPBF42
16h
RS (Formerly Allied Electronics)IRGB14C40LPBF01Bulk
5h
FarnellIRGB14C40LPBF01
3h
Microchip USAIRGB14C40LPBF362300Bulk
3d
Win Source
2
WS-IRGB14C40LPBF1.00022
17h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 21 Jahren

_legacy Avnet

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-10-15
LTD Date2020-04-15

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRGB14C40LPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

IRGB14C40LPBF Series 430 V 14 A N-Channel Ignition IGBT - TO-220AB
Future Electronics
Trans IGBT Chip N-CH 370V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Avnet
430V Low-Vceon Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 370V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IHS
IGBT Housing type: TO-220 Collector-emitter breakdown voltage: 430 V Collector-emitter saturation voltage: 1.4 V Power dissipation: 125 W
Distrelec
Transistor; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:20A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.75V; Power Dissipation, Pd:125W; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes
Newark
IGBT, 430V, 20A, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Voltage Vces:1.75V; Power Dissipation Pd:125W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:430V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Clamping Voltage:430V; Current Ic Continuous a Max:20A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRGB14C40LPbF; Fall Time Max:2.8ns; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:175°C; Junction Temperature Tj Min:-40°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:125W; Power Dissipation Pd:125W; Power Dissipation Pd:125W; Rise Time:2400ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:430V
element14 APAC

Bilder

Infineon
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RS
Micros
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iiiC
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International Rectifier
Newark

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRGB14C40LPBF
  • IRGB14C40L
  • SP001547952