Infineon IRG4PF50WDPBF

IRG4PF50WDPBF Series 900 V 28 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-247AC
$ 16.53
Obsolete
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Datenblätter und Dokumente

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Datasheet11 SeitenVor 22 Jahren
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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

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Trans IGBT Chip N-CH 900V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans IGBT Chip N-CH 900V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247
MicrochipAPT35GA90BD15
Trans IGBT Chip N-CH 900V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin TO-247 Tube

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRG4PF50WDPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

IRG4PF50WDPBF Series 900 V 28 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-247AC
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 51A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC
Copacked 900V IGBT in a TO-247AC package with ultrafast 20-100 kHz ultrafast, ultrasoft recovery anti-parallel diode, TO247COPAK-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 900 V Collector-emitter saturation voltage: 2.7 V Current release time: 190 ns Power dissipation: 200 W
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:51A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.7V; Power Dissipation, Pd:200W; Package/Case:TO-247AC ;RoHS Compliant: Yes
IGBT, TO-247; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.25V; Power Dissipation Pd: 200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 900V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins: 3Pins; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Cu
IGBT, 900V, 51A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:51A; Collector Emitter Voltage Vces:2.25V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:900V; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:51A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRG4PF50WDPbF; Fall Time Max:190ns; Fall Time tf:220ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Max:200W; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulsed Current Icm:204A; Rise Time:52ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:900V

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRG4PF50WDPBF
  • IRG4PF50WD
  • IRG4PF50WDPBF.
  • SP001547862