Infineon IRG4PH30KPBF

IRG4PH30 Series 1200 V 20 A Through Hole UltraFast IGBT - TO-247AC
$ 5.36
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet9 SeitenVor 21 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 21 Jahren

element14 APAC

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 5.36
$ 5.36
Stock
135,629
135,629
Authorized Distributors
2
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-247
TO-247
Collector Emitter Breakdown Voltage
1.2 kV
1.2 kV
Max Collector Current
20 A
20 A
Power Dissipation
100 W
100 W
Collector Emitter Saturation Voltage
3.1 V
3.1 V
Reverse Recovery Time
-
-

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-06-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2009-08-19
LTD Date2010-02-19

Verwandte Teile

LittelfuseIXA12IF1200HB
Planar Series - 600V - 1200V XPT™ (eXtreme-light Punch Through) IGBTs, TO-247, RoHS
International RectifierIRG7PH28UD1PBF
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 3-Pin TO-247AC Tube
InfineonIRG4PH20KPBF
1200V UltraFast 4-20 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 15A 89000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRG4PH30KPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

IRG4PH30 Series 1200 V 20 A Through Hole UltraFast IGBT - TO-247AC
1200V UltraFast 4-20 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 1200 V Collector-emitter saturation voltage: 4.2 V Current release time: 330 ns Power dissipation: 100 W
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:20A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):4.2V; Power Dissipation, Pd:100W; Package/Case:TO-247AC ;RoHS Compliant: Yes
IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Voltage Vces:3.1V; Power Dissipation Pd:100W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:20A; Current Temperature:25°C; Fall Time Max:170ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Max:100W; Power Dissipation Pd:100W; Power Dissipation Pd:100W; Pulsed Current Icm:40A; Rise Time:23ns; Short Circuit Withstand Time Min:10µs; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:1.2kV

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRG4PH30KPBF
  • IRG4PH30K
  • SP001540542