Infineon IRG4PH20KDPBF
$ 9.88
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-06-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRG4PH40KDPBF
1200V UltraFast 4-20 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package, TO247COPAK-3, RoHS
InfineonIRG4PH30KDPBF
Inductor RF Chip Thin Film 4.2nH 0.1nH 500MHz 14Q-Factor 350mA 400mOhm DCR 0201 T/R
onsemiFGH40T120SMD-F155
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRG4PH20KDPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Copacked 1200V IGBT in a TO-247AC package with ultrafast 4-20 kHz ultrafast, ultrasoft recovery anti-parallely diode, TO247COPAK-3, RoHS
Infineon SCT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) | IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:11A; Collector Emitter Voltage Vces:3.17V; Power Dissipation Pd:60W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:11A; Current Temperature:25°C; Fall Time Max:620ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Max:60W; Power Dissipation Pd:60W; Power Dissipation Pd:60W; Pulsed Current Icm:22A; Rise Time:30ns; Short Circuit Withstand Time Min:10µs; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:1.2kV
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage4.04 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Continuous Collector Current11 A
Current Rating11 A
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current11 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Package Quantity400
PackagingBulk
Power Dissipation60 W
Reverse Recovery Time51 ns
Rise Time30 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Voltage Rating (DC)1.2 kV
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.87 mm
Width5.3086 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen