Infineon IRG4PH30KDPBF

Inductor RF Chip Thin Film 4.2nH 0.1nH 500MHz 14Q-Factor 350mA 400mOhm DCR 0201 T/R
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

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Datasheet11 SeitenVor 21 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 21 Jahren
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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-06-30
LTD Date2020-12-31

Verwandte Teile

TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN+DIODE,1.2kV V(BR)CES,41A I(C),TO-247AD ;RoHS Compliant: Yes
1200V UltraFast 4-20 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package, TO247COPAK-3, RoHS
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
LittelfuseIXDH20N120D1
IXDH20N120D1 Series 1200 V 38 A N-Channel High Voltage IGBT - TO-247AD
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRG4PH30KDPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Inductor RF Chip Thin Film 4.2nH 0.1nH 500MHz 14Q-Factor 350mA 400mOhm DCR 0201 T/R
IRG4PH30KDPBF Series 1200 V 10 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-247AC
SHORT CIRCUIT RATED ULTRAFAST INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) | IGBT 1200V 20A 100W TO247AC
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:20A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):4.2V; Power Dissipation, Pd:100W; Package/Case:TO-247AC ;RoHS Compliant: Yes
SINGLE IGBT, 1.2KV, 20A; Transistor Type; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Voltage Vces:3.1V; Power Dissipation Pd:100W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Ic Continuous a Max:20A; Current Temperature:25°C; Fall Time Typ:97ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Max:100W; Power Dissipation Pd:100W; Power Dissipation Pd:100W; Pulsed Current Icm:40A; Rise Time:79ns; Short Circuit Withstand Time Min:10µs; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:1.2kV

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRG4PH30KDPBF
  • IRG4PH30KD
  • IRG4PH30KDPBF.
  • SP001536034