Infineon IRG4BC40WPBF

600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
$ 3.82
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRG4BC40WPBF01Bulk
14h
Farnell
2
IRG4BC40WPBF01
8h
Microchip USAIRG4BC40W204600Tray
14h
Win Source
2
WS-IRG4BC40WPBF38.30025
23h
Worldway Electronics
2
IRG4BC40WPBF16.7627Tube
22h

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet8 SeitenVor 16 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 21 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 25 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 25 Jahren

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

DigiKey

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-06-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-08-19
LTD Date2010-02-19

Verwandte Teile

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onsemiHGTP7N60A4
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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRG4BC40WPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Avnet
IRG4BC40WPBF Series 600 V 20 A N-Channel Latest Generation IGBT - TO-220AB
Future Electronics
Target Applications: Air Conditioner; Dishwasher; Fan; PFC; Pump; Washing Machine
Infineon
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IHS
IGBT, TO-220; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.5V; Power Dissipation Pd: 160W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pins: 3Pins; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Cur
Farnell
IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Power Dissipation Pd:160W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:40A; Current Temperature:25°C; Fall Time Max:74ns; Fall Time tf:74ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:160W; Power Dissipation Pd:160W; Power Dissipation Pd:160W; Pulsed Current Icm:160A; Rise Time:22ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
element14 APAC

Bilder

Infineon
Augswan
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Farnell
TME
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International Rectifier
Rochester Electronics
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Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRG4BC40WPBF
  • IRG4BC40W
  • IRG4BC40WPBF.
  • SP001541318