Infineon IRG4BC40FPBF
$ 7.81
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-04-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-06-30
LTD Date2020-12-31
Verwandte Teile
InfineonIRG4BC40SPBF
600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
InfineonIRG4BC40UPBF
600V UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
onsemiHGTP7N60A4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / IGBT 600V 34A 125W TO220AB
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRG4BC40FPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor IGBT Chip Negative Channel 600 Volt 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRG4BC40FPbF Series 600 V 27 A N-Channel Fast Speed IGBT - TO-220AB
600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
FAST SPEED INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Insulated Gate Bipolar Transistor, 49A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT Housing type: TO-220AB Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 1.5 V Current release time: 170 ns Power dissipation: 160 W
IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:49A; Collector Emitter Voltage Vces:1.8V; Power Dissipation Pd:160W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:49A; Current Temperature:25°C; Fall Time Max:170ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:160W; Power Dissipation Pd:160W; Power Dissipation Pd:160W; Pulsed Current Icm:200A; Rise Time:18ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.7 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Current Rating49 A
Element ConfigurationDual
Max Collector Current49 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation160 W
Rise Time18 ns
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time240 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length10.54 mm
Width4.69 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen