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Infineon IRFZ48NSTRLPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 14 Milliohms; ID 64A; D2Pak; PD 130W; VGS +/-20V
$ 0.638
Production
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Newark
2
IRFZ48NSTRLPBF
731
1
Cut Tape
USD
2,000
2,000
0,856
0,805
0,770
Arrow Electronics
2
IRFZ48NSTRLPBF
2.571
1
USD
1,675
1,675
1,675
1,675
1,675
Mouser
942-IRFZ48NSTRLPBF
14.652
1
Tape & Reel
USD
2,000
0,958
0,856
0,560
0,560
DigiKey
3
IRFZ48NSTRLPBFCT-ND
7.739
1
Cut Tape
USD
2,000
1,272
0,856
0,856
0,856
Avnet
IRFZ48NSTRLPBF
0
800
USD
0,492
0,410
1d

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRFZ48NSTRLPBF herunter.

element14 APAC

Datasheet11 SeitenVor 22 Jahren

IHS

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

DigiKey

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-03-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

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N-Channel 60V - 0.014Ohm - 60A - D2APK StripFET(TM) II POWER MOSFET
Details
onsemiNTB5412NT4G
Power MOSFET 60V 60A 14 mOhm Single N-Channel D2PAK
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFZ48NSTRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 14 Milliohms;ID 64A;D2Pak;PD 130W;VGS +/-20V
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 55V 14 mOhm 81 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Surface Mount
Avnet
MOSFET, N-CH, 55V, 64A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 64A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Powe
Farnell
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:64A; Package/Case:D2-PAK; Power Dissipation, Pd:140W; Continuous Drain Current - 100 Deg C:45A; Drain Source On Resistance @ 10V:14mohm ;RoHS Compliant: Yes
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 64 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 14 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 50 / Rise Time ns = 78 / Turn-OFF Delay Time ns = 34 / Turn-ON Delay Time ns = 12 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 130
Distrelec

Bilder

Infineon
element14
element14
TME
Newark
Farnell
Conrad
Future Electronics
Distrelec
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP001573544