Infineon IRFU4615PBF
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Verwandte Teile
InfineonIRFU4620PBF
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package, IPAK-3, RoHS
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18A, 150V, 0.110 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFU4615PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 150 V 42 mOhm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package, IPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) IPAK Bulk/Tube
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
MOSFET, N-CH 150V 33A IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):42mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:144W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:33mA; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:144W; Power Dissipation Pd:144W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:150V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)33 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance42 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Dual Supply Voltage150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.75 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation144 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance42 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation144 W
Rds On Max42 mΩ
Rise Time35 ns
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height9.75 mm
Length6.7056 mm
Width2.39 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen