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Infineon IRFU3410PBF

Single N-Channel 100 V 39 mOhm 37 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-251AA
$ 1.14
Obsolete
Datenblatt
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Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Rochester Electronics
IRFU3410PBF
35.880
USD
0,552
0,458
0,408
6h
Arrow Electronics
IRFU3410PBF
1.865
1
USD
1,320
1,320
1,320
1,320
1,320
RS (Formerly Allied Electronics)
IRFU3410PBF
0
15
Bulk
USD
1,190
1,140
1,140
20h
Avnet
IRFU3410PBF
0
3K
1d
Microchip USA
2
IRFU3410
397
100
Tray
18h

Datenblätter und Dokumente

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element14 APAC

Datasheet11 SeitenVor 21 Jahren

IHS

Newark

DigiKey

Bestandsverlauf

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-09-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2025-09-30
LTD Date2026-03-31

Verwandte Teile

InfineonIRFU3910PBF
Single N-Channel 100 V 115 mOhm 29.3 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
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onsemiFQU13N10LTU
Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 100 V, 10 A, 180 mΩ, IPAK
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFU3410PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 100 V 39 mOhm 37 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-251AA
Future Electronics
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package, IPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
Abacus Technologies
3W(Ta)，110W(Tc) 20V 4V@ 250µA 56nC@ 10 V 1individualNChannel 100V 39mΩ@ 18A,10V 31A 1.69nF@25V IPAK，TO-251AA Through hole mounting 6.73mm*2.38mm*6.22mm
UnikeyIC
MOSFET, N, 100V, 31A, I-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:31A; Resistance, Rds On:0.039ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:I-PAK; ;RoHS Compliant: Yes
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon
MOSFET, N, 100V, 31A, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):39mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:110W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:I-PAK; Current Id Max:31A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.4°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:39ohm; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:110W; Power Dissipation Pd:110W; Pulse Current Idm:125A; Termination Type:Through Hole; Turn Off Time:13ns; Turn On Time:27ns; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Bilder

Infineon
Newark
RS
DKO Electronshik
TME
LZChips
Future Electronics
International Rectifier
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFU3410
  • SP001578398