Infineon IRFU4105ZPBF

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
$ 1.53
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRFU4105ZPBF05Bulk
1d
FarnellIRFU4105ZPBF01
8h
Microchip USAIRFU4105Z2483KTray
3h
Win Source
2
WS-IRFU4105ZPBF2060
10h
Worldway Electronics
2
IRFU4105ZPBF16.0467Tube
8h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet12 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet12 SeitenVor 21 Jahren

element14 APAC

Newark

DigiKey

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-08-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-11-15
LTD Date2020-05-15

Verwandte Teile

InfineonIRFU5305PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -31A;I-Pak (TO-251AA);PD 110W
Details
onsemiNTD32N06-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 32A Ta 32A 93.75W 93ns
Details
onsemiNTD32N06L-001
MOSFETs- Power and Small Signal 60V 32A N-Channel No-Cancel/No-Return
Details
onsemiNTD32N06L-1G
MOSFETs- Power and Small Signal 60V 32A N-Channel
Details
InfineonIRLU3915PBF
IRLU3915PBF N-channel MOSFET Transistor, 61 A, 55 V, 3-Pin IPAK
Details
Rochester ElectronicsSPU30P06P
Trans MOSFET N-CH -60V -30A 3-Pin(3+Tab) TO-251
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFU4105ZPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Infineon
Single N-Channel 55 V 24.5 mOhm 18 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
Future Electronics
Power MOSFET(Vds=55V, Rds(on)=24.5mohm, Id=30A) | MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
Win Source
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package, IPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
IHS
MOSFET, N, I-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:30A; Resistance, Rds On:0.00245ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:I-PAK; Termination ;RoHS Compliant: Yes
Newark
MOSFET, N, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):24.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:48W; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:TO-251; Current Id Max:30A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Length:9.65mm; Lead Spacing:2.28mm; No. of Transistors:1; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:48W; Power Dissipation Pd:48W; Pulse Current Idm:120A; SMD Marking:IRFU4105ZPBF; Termination Type:Through Hole; Turn Off Time:26ns; Turn On Time:10ns; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Bilder

Infineon
Distrelec
RS (Formerly Allied Electronics)
LKR
Conrad
Distrelec
Newark
International Rectifier
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFU 4105ZPBF
  • IRFU4105Z
  • SP001552434