Infineon IRFSL7762PBF
$ 1.228
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-08-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2017-10-12
LTD Date2018-04-12
Verwandte Teile
InfineonIRFSL7540PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-262 package, TO262-3, RoHS
InfineonIRF3205LPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFSL7762PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IRFSL7762PBF N-channel MOSFET Transistor, 85 A, 75 V, 3-Pin TO-262
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 75V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
MOSFET, N-CH, 75V, 85A, TO-262-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 85A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0056ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.7V; P
Benefits: Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability; Lead-Free, RoHS Compliant; StrongIRFET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.084002 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)85 A
Drain to Source Resistance6.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.44 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.7 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation140 W
Rds On Max6.7 mΩ
Rise Time49 ns
Threshold Voltage3.7 V
Turn-Off Delay Time57 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen