Infineon IRFSL7540PBF
$ 1.17
Obsolete
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-01-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2022-09-22
LTD Date2022-09-22
Verwandte Teile
InfineonIRFSL3306PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
InfineonIRFSL3207ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 3.3Milliohms;ID 170A;TO-262;PD 300W;VF 1.3V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFSL7540PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET N-CH 60V 110A TO262 / N-Channel 60 V 110A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-262
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
160W(Tc) 20V 3.7V@ 100µA 130nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 5.1mΩ@ 65A,10V 110A 4.555nF@25V TO-262 Through hole mounting 10.2mm*4.5mm*9.45mm
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.084002 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance5.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time56 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.555 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance5.1 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation160 W
Rds On Max5.1 mΩ
Rise Time76 ns
Threshold Voltage3.7 V
Turn-Off Delay Time58 ns
Turn-On Delay Time12 ns