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Infineon IRFSL4010PBF

Single N-Channel 100 V 4.7 mOhm 143 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
$ 1.87
Obsolete
Datenblatt
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Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Arrow Electronics
IRFSL4010PBF
1.400
1K
USD
1,870
1,870
Rochester Electronics
IRFSL4010PBF
47.000
USD
1,660
1,490
1,400
12h
RS (Formerly Allied Electronics)
IRFSL4010PBF
0
2
Bulk
USD
5,420
5,180
5,180
5,180
3h
Component Search
IRFSL4010PBF
327
13h
Win Source
WS-IRFSL4010PBF
1.910
21
USD
2,247
1,885
1,885
13h

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet10 SeitenVor 15 Jahren

Farnell

Factory Futures

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)

Verwandte Teile

InfineonIRFSL3207ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 3.3Milliohms;ID 170A;TO-262;PD 300W;VF 1.3V
Details
InfineonIRLSL4030PBF
MOSFET N-CH 100V 180A TO262 / N-Channel 100 V 180A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-262
Details
onsemiFDI045N10A-F102
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Details
InfineonIRFSL3107PBF
MOSFET N-CH 75V 195A TO262 N-Channel 75 V 195A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-262
Details
onsemiHUF75639S3
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Details
onsemiFDI150N10
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100V, 57A, 16mΩ
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFSL4010PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 100 V 4.7 mOhm 143 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
Future Electronics
MOSFET N-CH 100V 180A TO262 N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Eurochip Technologies LTD
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS | MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
Win Source
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
IHS
375W(Tc) 20V 4V@ 250µA 215nC@ 10 V 1individualNChannel 100V 4.7mΩ@ 106A,10V 180A 9.575nF@50V TO-262 Through hole mounting 10.2mm*4.5mm*9.45mm
UnikeyIC
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:180A; On Resistance Rds(On):0.0039Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
Newark
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 180 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 3.9 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 77 / Rise Time ns = 86 / Turn-OFF Delay Time ns = 100 / Turn-ON Delay Time ns = 21 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-262 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / MSL = Level-1 / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 375
Distrelec

Bilder

Infineon
RS
Newark
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
LZChips
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFSL4010
  • IRFSL4010PBF.
  • SP001567760