Infineon IRFSL4010PBF

Single N-Channel 100 V 4.7 mOhm 143 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
$ 4.437
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsIRFSL4010PBF1.4001K
Rochester ElectronicsIRFSL4010PBF47.000
1d
RS (Formerly Allied Electronics)IRFSL4010PBF02Bulk
5h
FarnellIRFSL4010PBF01K
16h
Microchip USAIRFSL4010PBF1.13150Tube
8h

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet10 SeitenVor 14 Jahren

Farnell

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFSL4010PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 100 V 4.7 mOhm 143 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
Future Electronics
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS | MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
Win Source
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
IHS
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:180A; On Resistance Rds(On):0.0039Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
Newark
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 180 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 3.9 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 77 / Rise Time ns = 86 / Turn-OFF Delay Time ns = 100 / Turn-ON Delay Time ns = 21 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-262 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / MSL = Level-1 / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 375
Distrelec

Bilder

Infineon
RS
Newark
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
LZChips
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFSL4010
  • IRFSL4010PBF.
  • SP001567760