Infineon IRFSL3107PBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2014-10-25
LTD Date2015-04-25
Verwandte Teile
InfineonAUIRF3805L
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package, TO262-3, RoHS
InfineonIRF5305LPBF
MOSFET P-CH 55V 31A TO262 "P-Channel 55 V 31A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262"
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFSL3107PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 75V 195A TO262 N-Channel 75 V 195A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-262
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
370W(Tc) 20V 4V@ 250µA 240nC@ 10 V 1individualNChannel 75V 3mΩ@ 140A,10V 195A 9.37nF@50V TO-262 Through hole mounting 10.2mm*4.5mm*9.45mm
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:75V; Continuous Drain Current, Id:230A; On Resistance, Rds(on):3mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:3V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Fall Time100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.37 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation370 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance3 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation370 W
Rds On Max3 mΩ
Rise Time110 ns
Turn-Off Delay Time99 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height9.65 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen