Infineon IRFS7530-7PPBF
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Stock
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Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
TO-263-7
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
240 A
240 A
Threshold Voltage
3.7 V
3.7 V
Rds On Max
1.4 mΩ
1.4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
375 W
375 W
Input Capacitance
12.96 nF
12.96 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-12-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Verwandte Teile
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InfineonIRFS7534TRLPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFS7530-7PPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Pin D2-Pak package, D2PAK7P, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 60 V 1.4 mOhm 354 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-7
Trans MOSFET N-CH 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
MOSFET, N-CH, 60V, 338A, TO-263-7; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 338A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.00115ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.7V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins7
Weight1.59999 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)240 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1.15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time79 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance12.96 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.4 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation375 W
Rds On Max1.4 mΩ
Rise Time102 ns
Threshold Voltage3.7 V
Turn-Off Delay Time168 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen