Infineon IRFS4410PBF
$ 2.89
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-11-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Verwandte Teile
InfineonIRFS4410TRLPBF
INFINEON IRFS4410TRLPBF MOSFET Transistor, N Channel, 88 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 VNew
InfineonIRF1407STRLPBF
Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078Ω, Id = 100A⑥) | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
STMicroelectronicsSTB120NF10T4
N-channel 100 V, 0.009 Ohm, 110 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB75NF75T4
N channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFS4410PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 100 V 10 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 88A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.15 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance10 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation250 W
Rds On Max10 mΩ
Resistance10 MΩ
Rise Time80 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height4.826 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen