Infineon IRF3415SPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 150V; Rds(on) 0.042 Ohm; Id 43A; D2PAK; Pd 200W; Vgs +/-20V
$ 0.647
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF3415SPBF herunter.

IHS

Datasheet11 SeitenVor 22 Jahren

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

DigiKey

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-40.34%

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID 43A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
Digital Audio 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Single N-Channel 150 V 42 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
onsemiFDB2572
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 29A, 54mΩ
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 27A, 39mΩ
onsemiFDB2532
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF3415SPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID 43A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
In a Tube of 50, IRF3415SPBF N-Channel MOSFET, 43 A, 150 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon
Single N-Channel 150 V 42 mOhm 200 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
N CHANNEL MOSFET, 150V, 43A, D2-PAK; Tra; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:43A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):42mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:200W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:43A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:0.75°C/W; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W; Pulse Current Idm:150A; SMD Marking:IRF3415S; Termination Type:SMD; Voltage Vds:150V; Voltage Vds Typ:150V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF3415SPBF.
  • SP001561532