Infineon IRFS4115TRLPBF
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IRFS4115TRLPBF | 38 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IRFS4115TRLPBF | 760 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | IRFS4115TRLPBF | 95.200 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| Rutronik | TMOSP12816 | 14.400 | 800 | 7h | ||||||||
| Rochester Electronics | IRFS4115TRLPBF | 104.390 | 1d |
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Stock
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159,146
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
99 A
99 A
Threshold Voltage
-
5 V
Rds On Max
12.1 mΩ
12.1 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
375 W
375 W
Input Capacitance
5.27 nF
5.27 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-11-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFS4115TRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 150V 12.1 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Surface Mount
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 99A I(D), 150V, 0.0121ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 150V, 195A, TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.0103ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V;
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 99 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 150 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 10.3 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 39 / Rise Time ns = 73 / Turn-OFF Delay Time ns = 41 / Turn-ON Delay Time ns = 73 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = D2PAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 375
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)99 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance12.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time39 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.27 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance12.1 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation375 W
Rds On Max12.1 mΩ
Resistance11.8 MΩ
Rise Time73 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.652 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen