Infineon IRFS4010TRLPBF
$ 1.336
NRND
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.50%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRFS4010TRLPBF herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IRFS4010TRLPBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 1.336
$ 4.33
$ 4.33
Stock
722,038
131,656
131,656
Authorized Distributors
6
1
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
180 A
180 A
180 A
Threshold Voltage
-
4 V
4 V
Rds On Max
4.7 mΩ
4.7 mΩ
4.7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
375 W
375 W
375 W
Input Capacitance
9.575 nF
9.575 nF
9.575 nF
Verwandte Teile
InfineonIRFS4010PBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
onsemiFDB035N10A
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 214 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
InfineonAUIRFS4010-7TRL
Trans MOSFET N-CH Si 100V 190A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R / HEXFETPower MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFS4010TRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 100 V 4.7 mOhm 143 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 180 A, 0.0047 ohm, TO-263AB, Surface Mount
MOSFET, 100V, 180A, 4.7 MOHM, 143 NC QG, D2-PAK | Infineon IRFS4010TRLPBF
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:180A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:375W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFS4010TRLPBF.
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.50%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time77 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.575 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.7 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation375 W
Rds On Max4.7 mΩ
Rise Time86 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRFS4010TRLPBF herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen