Infineon IRFS3806PBF
$ 1.43
Obsolete
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Alternative Teile
Dieser Teil
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Price @ 1000
$ 1.43
$ 0.57
Stock
615,562
448,903
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
43 A
43 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
15.8 mΩ
15.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
71 W
71 W
Input Capacitance
1.15 nF
1.15 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-02-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Verwandte Teile
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HEXFET® Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 13.9mΩ , ID = 51A ) | MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
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STMicroelectronicsSTB45NF06T4
N-channel 60 V, 0.22 Ohm typ., 38 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFS3806PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 60 V 15.8 mOhm 22 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 60V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:43A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):12.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:71W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:43A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:71W; Pulse Current Idm:170A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)43 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance15.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time47 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.15 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation71 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance15.8 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation71 W
Rds On Max15.8 mΩ
Recovery Time33 ns
Rise Time40 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time49 ns
Turn-On Delay Time6.3 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen