Infineon IRFR825TRPBF
$ 0.996
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRFR825TRPBF | 19.871 | 11h | |||||||||
| Farnell | IRFR825TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 10h | |||||||
| Verical | IRFR825TRPBF | 19.871 | 250 | |||||||||
| Win Source | WS-IRFR825TRPBF | 940 | 90 | 11h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRFR825TRPBF | 12.039 | 7 | Tape & Reel | 12h |
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3-Monats-Trend: -7.56%
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-04-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Verwandte Teile
InfineonIRFR825PBF
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemiFQD6N50CTF
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFR825TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 500 V 1.3 Ohm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: Battery Operated Drive; Lighting LED
500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 500V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-252AA; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 1.05ohm; R; Available until stocks are exhausted Alternative available
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.346 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation119 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.3 Ω
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation119 W
Rds On Max1.3 Ω
Resistance1.3 Ω
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time8.5 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen