Infineon IRFR825PBF
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Obsolete
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Offizielles DatenblattVor 4 Jahren
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16
Verwandte Teile
InfineonIPD50R650CEAUMA1
Mosfet Transistor, N Channel, 6.1 A, 500 V, 0.59 Ohm, 13 V, 3 V Rohs Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTD11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
onsemiFQD6N50CTF
2.5W(Ta),61W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 25nC@ 10V 1N 500V 1.2¦¸@ 2.25A,10V 700pF@25V DPAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFR825PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: Battery Operated Drive; Lighting LED
500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, N-CH, 500V, 3.5A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):1.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:119W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -57.14%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.05 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.346 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation119 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.3 Ω
Package Quantity3000
Power Dissipation119 W
Rds On Max1.3 Ω
Recovery Time138 ns
Rise Time25 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time8.5 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Offizielles DatenblattVor 4 Jahren
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen