Infineon IRFR6215TRRPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -150V; Rds(on) 0.295 Ohm; Id -13A; D-pak (TO-252AA); Pd 110W
$ 0.592
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
Rochester Electronics
2
IRFR6215TRRPBF3.000
14h
RS (Formerly Allied Electronics)IRFR6215TRRPBF03KBulk
7h
Win SourceWS-IRFR6215TRRPBF24.21085
15h
Worldway ElectronicsIRFR6215TRRPBF16.0567Tape & Reel
13h
SHENGYU ELECTRONICSIRFR6215TRRPBF17.2651
13h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRFR6215TRRPBF herunter.

Infineon SCT

Datasheet11 SeitenVor 9 Jahren

IHS

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+0.00%
Powered bySpectra logo

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-10-15
LTD Date2023-04-15

Verwandte Teile

InfineonIRFR6215PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.295Ohm;ID -13A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
Details
onsemiFDD120AN15A0
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 150V, 14A, 120mΩ
Details
onsemiFDD120AN15A0-F085
N-Channel Power Trench® MOSFET, 150V, 14A, 120mΩ
Details
InfineonIRFR13N15DTRPBF
Single N-Channel 150V 0.18 Ohm 19 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Details
InfineonIRFR13N15DPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.18Ohm;ID 14A;D-Pak (TO-252AA);PD 86W
Details
onsemiFDD2582
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 21A, 66mΩ
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFR6215TRRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.295Ohm;ID -13A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
RS (Formerly Allied Electronics)
Single P-Channel 150V 0.295 Ohm 66 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Future Electronics
-150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 150V, 0.295ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
IHS
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-150V; Continuous Drain Current, Id:-13A; On Resistance, Rds(on):295mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:DPAK ;RoHS Compliant: Yes
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Bilder

Infineon
Future Electronics
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP001557126