Infineon IRFR24N15DTRPBF
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-06-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFR18N15DTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.125Ohm;ID 18A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
InfineonIRFR6215TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.295Ohm;ID -13A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFR24N15DTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 150 V 95 mOhm 45 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 150V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:150V; Continuous Drain Current, Id:24A; On Resistance, Rds(on):95mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK ;RoHS Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance95 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance890 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance95 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation140 W
Rds On Max95 mΩ
Resistance95 MΩ
Rise Time53 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen