Infineon IRFR13N20DTRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.235 Ohm; Id 13A; D-pak (TO-252AA); Pd 110W
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRFR13N20DTRPBF02KBulk
8h
Farnell
2
IRFR13N20DTRPBF01Cut Tape
15h
Win SourceWS-IRFR13N20DTRPBF1.32060
16h
Worldway ElectronicsIRFR13N20DTRPBF18.8697Tape & Reel
15h
UnikeyICIRFR13N20DTRPBF2.00010Tape & Reel
14h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 21 Jahren
Datasheet12 SeitenVor 21 Jahren

RS (Formerly Allied Electronics)

Future Electronics

iiiC

DigiKey

Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRFR13N20DTRPBF
InfineonIRFR13N20DPBF
Price @ 1000
$ 1.08
Stock
310,983
146,541
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
13 A
13 A
Threshold Voltage
-
5.5 V
Rds On Max
235 mΩ
235 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
110 W
110 W
Input Capacitance
830 pF
830 pF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-06-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFR13N20DTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.235Ohm;ID 13A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 200 V 0.235 Ohm 38 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Future Electronics
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.235ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:13A; On Resistance, Rds(on):235mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK ;RoHS Compliant: Yes
Newark
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
Infineon

Bilder

Infineon
Newark
element14 APAC
TME
iiiC
Future Electronics
LCSC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFR13N20DTRPBF.
  • SP001567488