Infineon IRFP140NPBF

MOSFET, Power; N-Channel; 0.052 Ohms (Max.) @ 10 V, 16 A; 100 V (Min.); 40 degC
$ 1.011
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DistributorSKUMinPkg
NewarkIRFP140NPBF7981
Future Electronics
2
IRFP140NPBF65025Tube
Arrow Electronics
2
IRFP140NPBF5.1001
AvnetIRFP140NPBF025
20h
RS (Formerly Allied Electronics)IRFP140NPBF01Bulk
7h

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet10 SeitenVor 21 Jahren
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IHS

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RS (Formerly Allied Electronics)

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2008-03-13
LTD Date2008-09-13

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFP140NPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power; N-Channel; 0.052 Ohms (Max.) @ 10 V, 16 A; 100 V (Min.); 40 degC
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 100 V 0.052 Ohm 94 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247-3AC
Future Electronics
Power MOSFET, HEXFET, N Channel, 100 V, 33 A, 0.052 ohm, TO-247AC, Through Hole
Avnet
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC
Win Source
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):52mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:94W; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:33A; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:94W; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
N Channel Mosfet, 100V, 33A, To-247Ac; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:33A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon IRFP140NPBF.
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Bilder

Infineon
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Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFP 140NPBF
  • IRFP140N
  • IRFP140NPBF.
  • SP001575786