Infineon IRFL024ZPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 46.2 Milliohms; Id 5.1A; SOT-223; Pd 1W; Vf 1.3V
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet10 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 15 Jahren

TME

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-11-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16

Verwandte Teile

Single N-Channel 55 V 57.5 mOhm 9.1 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 3.7A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-20V
InfineonIRFL4105PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 3.7A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-20V
onsemiNDT3055
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 4A, 100mΩ
STMicroelectronicsSTN3NF06L
N-channel 60 V, 0.07 Ohm typ., 4 A STripFET II Power MOSFET in SOT-223 package
STMicroelectronicsSTN3NF06
Mosfet Transistor, N Channel, 1.5 A, 60 V, 0.07 Ohm, 20 V, 3 V |Stmicroelectronics STN3NF06

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFL024ZPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 46.2 Milliohms;ID 5.1A;SOT-223;PD 1W;VF 1.3V
Transistor MOSFET N Channel 55 Volt 5.1 Amp 4 Pin 3+ Tab SOT-223
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package, SOT223-4, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 / Advanced Process Technology
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: Load Switch High Side
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:5.1A; On Resistance, Rds(on):57.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, 55V, 5.1A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.1A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):58mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:2.8W; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:5.1A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:45°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:57.5ohm; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:2.8W; Power Dissipation Pd:2.8W; Pulse Current Idm:41A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP001554888