Infineon IRFL024ZTRPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-11-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFL024ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 46.2 Milliohms;ID 5.1A;SOT-223;PD 1W;VF 1.3V
InfineonIRFL4105TRPBF
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Diodes Inc.DMN6068SE-13
N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFL024ZTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 55 V 57.5 mOhm 9.1 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Infineon NChannel EnhancedMOSTube, Vds=55 V, 5.1 A, SOT-223encapsulation, surface mount, 4Pin
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 55V, 0.0575ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: Load Switch High Side
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:5.1A; On Resistance, Rds(on):57.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SOT-223 ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance57.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance340 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance57.5 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.8 W
Rds On Max57.5 mΩ
Rise Time21 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time7.8 ns
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.6802 mm
Width3.7 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen