Infineon IRFHS8242TRPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-11-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFHS8242TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
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Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 8.5 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 25 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 13 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 5.3 / Rise Time ns = 19 / Turn-OFF Delay Time ns = 5.4 / Turn-ON Delay Time ns = 6.5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = PQFN / Pins = 6 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2.1
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageVQFN
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance13 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance653 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Manufacturer Package IdentifierPG-TSDSON-6
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance13 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max13 mΩ
Resistance13 MΩ
Rise Time19 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time5.4 ns
Turn-On Delay Time6.5 ns
Dimensions
Height1 mm
Length2.1 mm
Width2.1 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen