Infineon IRF9540NSTRLPBF

Single P-Channel 100 V 117 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
$ 0.697
Production
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DistributorSKUMinPkg
DigiKey
3
IRF9540NSTRLPBFCT-ND19.4581Cut Tape
Avnet
2
IRF9540NSTRLPBF134.400800
10h
Newark
3
IRF9540NSTRLPBF4.1481Cut Tape
Future Electronics
2
IRF9540NSTRLPBF7.200800Tape & Reel
Arrow Electronics
2
IRF9540NSTRLPBF3771

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet11 SeitenVor 20 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 23 Jahren

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-08-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF9540NSTRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single P-Channel 100 V 117 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.117Ohm;ID -23A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V
RS (Formerly Allied Electronics)
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
EBV Elektronik
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Win Source
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, P-CHANNEL, -100V, -23A, 117 MOHM, 64.7 NC QG, D2-PAK
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET
Infineon
Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:23A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:20V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:140W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF9540NSTRLPBF.
Newark
MOSFET, P, 100V, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:23A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):117mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:140W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:TO-262AB; Current Id Max:-23A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:140W; Power Dissipation Pd:140W; Pulse Current Idm:76A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V
element14 APAC
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 23 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 117 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 45 / Rise Time ns = 64 / Turn-OFF Delay Time ns = 40 / Turn-ON Delay Time ns = 13 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 110
Distrelec

Bilder

Infineon
element14 APAC
Newark
element14
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
RS APAC
Newark
Newark
Micros
Farnell
Conrad
Future Electronics
Distrelec
LCSC
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF9540NSTRLPBF.
  • SP001572430