Infineon IRFH5302DTRPBF
$ 1.64
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFH5302DTRPBF | 0 | 5 | Bulk | 20h | |||||||
| Farnell | IRFH5302DTRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 15h | |||||||
| Win Source | WS-IRFH5302DTRPBF | 39.100 | 50 | 4h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRFH5302DTRPBF | 7.283 | 7 | Tape & Reel | 2d | |||||||
| ICPartonline | IRFH5302DTRPBF | 18.177 | >1wk |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-04-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-01-31
LTD Date2022-07-31
Verwandte Teile
InfineonIRFH5304TRPBF
Single N-Channel 30 V 4.5 mOhm 16 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
InfineonIRFHS9301TRPBF
P CH MOSFET, -30V, -6A, 6-PQFN; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFH5302DTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 30 V 2.5 mOhm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET with an integrated Schottky Diode in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin PQFN EP T/R
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):2.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.35V; Power Dissipation Pd:3.6W;RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageVQFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.635 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.5 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.6 W
Rds On Max2.5 mΩ
Resistance2.5 MΩ
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height950 µm
Length5.9944 mm
Width5 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen