Infineon IRFH5104TR2PBF
$ 1.445
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-05-12
Verwandte Teile
InfineonIRFH5004TRPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
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40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFH5104TR2PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN package
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin PQFN T/R
MOSFET N-Channel 40V 24A HEXFET PQFN8
3.6W(Ta),114W(Tc) 20V 4V@ 100¦ÌA 80nC@ 10 V 1N 40V 3.5m¦¸@ 50A,10V 24A,100A 3.12nF@25V QFN 5mm*6mm*810¦Ìm
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET [IR] IRFH5104TR2PBF MOSFET
MOSFET,N CH,40V,24A,PQFN56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0029ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:3.6W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:QFN; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Power Dissipation Pd:3.6W; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageVQFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.12 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation114 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
Rds On Max3.5 mΩ
Recovery Time47 ns
Resistance3.5 MΩ
Rise Time15 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time9.5 ns
Dimensions
Height900 µm
Length6 mm
Width5 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen