Infineon IRFH4201TRPBF
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFH4201TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 3h | |||||||
| Win Source | WS-IRFH4201TRPBF | 15.800 | 40 | 13h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRFH4201TRPBF | 3.143 | 7 | Tape & Reel | 12h | |||||||
| ICPartonline | IRFH4201TRPBF | 13.866 | >1wk | |||||||||
| RC Electronics | IRFH4201TRPBF | 54.091 | 1 | >1wk |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-01-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFH4210DTRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH4210TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFH4201TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 25V, 0.00125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
FET Input Operational Amplifier
Benefits: Low RDSon (less than 0.95 mOhms); Low Thermal Resistance to PCB (less than 0.8C/W); Low Profile (less than 0.9 mm); Industry-Standard Pinout; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; RoHS Compliant, Halogen-Free; MSL1, Industrial Qualification; FastIRFET | Target Applications: eFuse; HotSwap; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs; MultiPhase SyncFET; ORing; Point of Load SyncFET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountSurface Mount
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)49 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance1.25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.1 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance950 µΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max950 µΩ
Rise Time43 ns
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length6 mm
Width5 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen