Infineon IRFF9230
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonJANTX2N6851
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFF9230, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package, TO-205AF-3
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; C; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):800mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:25W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-39; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Avalanche Single Pulse Energy Eas:75mJ; Current Id Max:-4A; Current Temperature:25°C; External Length / Height:18.03mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Lead Length:14.22mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-39; Power Dissipation Pd:25W; Power Dissipation Pd:25W; Pulse Current Idm:16A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:-200V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage Vgs th Max:4V; Weight:0.98g
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-39-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight980 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-200 V
Drain to Source Resistance1.68 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-200 V
Dual Supply Voltage-200 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance800 mΩ
Power Dissipation25 W
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Dimensions
Height4.57 mm
Lead Length14.22 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen