Infineon IRFF420
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Price @ 1000
$ 17.1
$ 21.34
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Stock
278
20,999
20,999
Authorized Distributors
2
1
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-39
TO-39
TO-39
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
-
-
Continuous Drain Current (ID)
1.5 A
1.5 A
1.5 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
-
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
20 W
20 W
20 W
Input Capacitance
-
-
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Verwandte Teile
InfineonJANTX2N6788
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFF420, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package, TO-205AF-3
Infineon SCT
N-Channel 500 V 1.5 A 3.1 Ohm 20 W Through Hole HEXFET® Transistor - TO-39
Trans MOSFET N-CH 500V 1.5A 3-Pin TO-39
N Channel Mosfet, 500V, 1.5A, To-205Af
HEXFET, Hi-Rel 500V, 1.5A, 3.0 ohm
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 500V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-39
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance3.1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation20 W
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Dimensions
Height4.57 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen