Infineon IRFB7546PBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-01-16
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
Verwandte Teile
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFB7546PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 60 V 7.3 mOhm 87 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
TUBE / MOSFET, 60V, 75A, 7.3 mOhm, 58nC, TO-220
Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
MOSFET, 60V, 75A, 7.3 MOHM, 58 NC QG, TO-220AB
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 99 W
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 60V, 75A, TO-220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.006ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.7V;
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. End-applications include cordless power and gardening tools, light electric vehicles and e-bikes demanding a high level of ruggedness and energy efficiency.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance7.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation99 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance7.3 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation99 W
Rds On Max7.3 mΩ
Rise Time51 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.7 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height19.8 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm