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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-02-14

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)

LTB Date2026-05-31

LTD Date2026-11-30

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFB3607PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 7.34 Milliohms;ID 80A;TO-220AB;PD 140W;-55de

RS (Formerly Allied Electronics)

Infineon Technologies N channel HEXFET power MOSFET, 75 V, 80 A, TO-220, IRFB3607PBF

Burklin Elektronik

Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Power MOSFET, N Channel, 75 V, 80 A, 0.00734 ohm, TO-220AB, Through Hole

Avnet

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Verical

MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 140 W

Distrelec

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

MOSFET, N, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):7.34mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:140W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:80A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:140W; Pulse Current Idm:310A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon

Bilder

South Microelectronics

Distrelec

International Rectifier

LCSC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRFB3607
IRFB3607PBF .
IRFB3607PBF.
SP001551746

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -38.37%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-220

Contact PlatingTin

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)80 A

Drain to Source Breakdown Voltage75 V

Drain to Source Resistance9 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)75 V

Dual Supply Voltage75 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time96 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance3.07 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation140 W

Min Breakdown Voltage75 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance9 mΩ

Package Quantity1000

Power Dissipation140 W

Rds On Max9 mΩ

Recovery Time50 ns

Resistance9 MΩ

Rise Time110 ns

Schedule B8541290080

TerminationThrough Hole

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time43 ns

Turn-On Delay Time16 ns

Dimensions

Height19.8 mm

Length10.6426 mm

Width4.82 mm